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UNR42160RA |
NS-B1 | Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products | 10168 | 閻絻鐦介敍锟�0755-83217923 询价QQ：  |
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UNR42160RA参数 产品类别：分离式半导体产品-晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 说明：TRANS NPN W/RES 210 HFE NS-B1 包装数量：5000 包装形式：带盒（TB） PDF资料下载：  PDF文档晶体管类型：NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：4.7k 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：160 @ 5mA，10V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大）：500nA 频率 - 转换：150MHz 功率 - 最大：300mW 安装类型：通孔 |
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热门型号： PMIC - MOA3940KLWTR 箱TC-302-RB 其它0011170322 PMIC - MOTLE7239SL 矩形M3BYK-3440K 薄膜电容器B32926A2475M PMIC - 电机BA6406F-E2 矩形M3DDA-2636R Card Edge396-056-541-202 矩形- 接头，公引0015913760 |
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